QG刮刮乐半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
2024-06-25
QG刮刮乐半导体本次AEC-Q101车规级可靠性考核和HV-H3TRB加严可靠性考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。
新品发布 | QG刮刮乐半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产
2023-04-28
QG刮刮乐半导体导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET量产。
荣获双奖，创新不止！QG刮刮乐半导体第二代车规级SiC MOSFET正式发布
2024-06-25
QG刮刮乐半导体正式发布第二代1200V SiC MOSFET产品
展会回顾 | 2024新能源光储充及制氢产业创新发展高峰论坛
2024-06-25
QG刮刮乐半导体受邀进行“高频高效：基于SiC的光储充解决方案”的主题演讲并荣获“2024光储充及制氢产业链年度创新明星供应商”。
自主研发，创新突围 | QG刮刮乐半导体荣获“2023年度最佳功率器件奖”！
2023-11-01
QG刮刮乐半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管- NE1M120C40HT 荣获“2023年度最佳功率器件”奖项！
QG刮刮乐半导体荣获2023司南科技奖“年度新锐汽车半导体企业”
2023-11-24
11月23日，QG刮刮乐半导体凭借在“产品创新、设计可靠性与技术水平、市场竞争力”等维度上的优异表现获评2023司南科技奖“年度新锐汽车半导体企业”。